| 研究課題/領域番号 |
22560327
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
葛原 正明 福井大学, 工学研究科, 教授 (20377469)
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| 研究分担者 |
山本 あき勇 福井大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90210517)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・集積回路 / GaN / MIS / FET / HEMT / 絶縁膜 / 窒化物半導体 / トランジスタ |
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| 研究概要 |
高温・高周波で安定に動作する電子デバイスの実現をめざして、AlGaN/GaN 絶縁ゲート HEMT (MISHEMT)を作製した。ゲート絶縁膜として、 SiN, Al_2O_3, HfO_2, ZrO_2 とそれらの複合膜を広く検討した。試作した ZrO_2/Al_2O_3 複合絶縁膜をもつ MISHEMT は室温で低いゲートリーク電流(1x10^-10A/mm)を示した。この値は従来の HEMT に比べて約3桁低い値であった。ZrO_2/Al_2O_3 複合絶縁膜 MISHEMT は、デバイス動作温度が室温から 300℃まで上昇しても、ゲートリーク電流の増加が最も小さいことが分かった。また、ZrO_2/Al_2O_3 複合絶縁膜 MISHEMT は優れた直流特性と安定した界面特性を示した。これらの結果から、今回開発した ZrO_2/Al_2O_3 複合絶縁膜 MISHEMT が高温・高周波エレクトロニクス応用として相応しいことが明らかとなった。
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