| 研究課題/領域番号 |
22560328
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
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研究代表者 |
岡田 浩 豊橋技術科学大学, エレクトロニクス先端融合研究所, 准教授 (30324495)
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| 連携研究者 |
若原 昭浩 豊橋技術科学大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00230912)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 発光デバイス / 希土類元素 / 高電子移動度トランジスタ / イオン注入 / ヘテロ構造 / AlGaN/GaN / ２次元電子ガス / 2次元電子ガス |
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| 研究概要 |
窒化物半導体ヘテロ構造である AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタ構造のチャネル中にイオン注入法により希土類元素であるユーロピウム(Eu)を添加した新しい三端子型発光デバイスを開発した。電流注入発光スペクトルに希土類元素からの発光を確認した。集積型微小光源の開発に向けたプロセス開発や、光閉じ込め構造について検討した。この新しい発光デバイスの放射線耐性の優れた発光デバイスへの可能性を見出した。
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