| 研究課題/領域番号 |
22560329
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
龍頭 啓充 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 講師 (20392178)
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| 研究分担者 |
高岡 義寛 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90135525)
竹内 光明 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (10552656)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 微細プロセス技術 / 液体クラスター / シリコン / アセトン / 半導体基板加工 / 酸化膜形成 / エタノール / 照射損傷 / 半導体加工 / クラスター |
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| 研究概要 |
半導体産業分野を初めとする工業分野において液体クラスターイオンビーム技術を応用するために、液体クラスターイオンビーム照射装置の改良を行った。ビーム電流密度約 3 μA/cm2の水クラスターイオンビームが得られた。水クラスターイオンビームがシリコン及び PMMA に対して高い加工能力を持つことが分かった。さらに、この改良によりクラスター材料としてのアセトンの使用が可能になり、サポートガスを使用せずにアセトンクラスターイオンビームを生成した。アセトンクラスターイオンビームはシリコン基板に対して高い加工能力を持つことが分かった。
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