| 研究課題/領域番号 |
22560332
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 徳島大学 |
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研究代表者 |
敖 金平 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (40380109)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | pHセンサ / 窒化ガリウム / AlGaN/GaN へテロ構造 / GaN MOSFET / 耐熱電極 / ｐHセンサ / AlGaN/GaN HFET / 高温動作 / AlGaN/GaNヘテロ構造 / 耐環境 / 細胞培養 / 耐環境電極 |
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| 研究概要 |
本研究では窒化ガリウム(GaN)系半導体 AlGaN/GaN へテロ構造を用い、細胞培養監視用 pHセンサの開発を目的とする。反応性スパッタリングにより高温に耐える TiN ショットキー電極を開発した。AlGaN/GaN へテロ構造上 pHセンサ用 GaN MOSFET のプロセスを最適化し、電子移動度 160 cm^<2>/Vs 台のデバイスが得られた。AlGaN/GaN へテロ構造を用いて pH センサの設計、試作、実装、評価を行い、 80℃まで pH センサとして動作が確認できた。各温度で理想値に近い感度が得られた。
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