研究課題
基盤研究(C)
SiGe/Si多重量子井戸構造による光誘起電流変調を利用した多値化信号生成素子を創出することを目的として,SOI基板上のSiGeの多重量子井戸構造を受光部とし,吸収された光により発生した正孔電流をその直下の電界効果素子で検出する素子構造を提案した.シミュレーションにより多重量子井戸の量子エネルギー準位に関する基礎データを取得し,受光部の構造設計に資した.電界効果素子として,SOI基板の埋め込み酸化膜をゲート酸化膜に用いたバックゲート構造のMOSFETの素子特性を調べ,正孔電流検出用の電界効果素子としての有用性を検証した.
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