| 研究課題/領域番号 |
22560341
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北学院大学 |
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研究代表者 |
原 明人 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
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| 連携研究者 |
北原 邦紀 島根大学, 総合理工学部, 教授 (60304250)
鈴木 仁志 東北学院大学, 工学部, 准教授 (70351319)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 電子デバイス・集積回路 / 薄膜トランジスタ / TFT / poly-Si / ダブルゲート / 多結晶シリコン / 電子デバイス・機器 / マイクロ・ナノデバイス / 先端機能デバイス / ディスプレイ / 他結晶シリコン |
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| 研究概要 |
マルチゲート多結晶 Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)は、近年注目を集めており、盛んに研究されている。本研究では埋め込みメタルゲートを有する自己整合メタルダブルゲート低温 poly-Si TFT を 550℃のプロセス温度でガラス基板上に作製した。N-ch TFT の見かけ上の移動度は 530 cm2/Vs であり、s 値は 140 mV/dec,一方 p-ch TFT の特性は、見かけ上の移動度 135 cm2/Vs、s値 150 mV/dec であった.この特性は、低温プロセスで形成された TFT としては世界トップレベルであり、ガラス上において低消費電力・高速回路の実現を可能にするものである。
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