| 研究課題/領域番号 |
22560410
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
計測工学
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| 研究機関 | 山形大学 |
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研究代表者 |
高橋 貞幸 山形大学, 地域教育文化学部, 技術専門職員 (10396559)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 高分子 / 圧電体 / 空気中 / 超音波 / 高周波数 / 圧電高分子 / P(VDF/TrFE) / 超音波トランスデューサ / 高周波(MHz帯域) / 透過画像形成 / MHz帯域 / P(VDF/TrFE)サ |
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| 研究概要 |
P(VDF/TrFE)は、圧電高分子材料中最大の電気機械結合係数 (kt=0.3)をもつ。また、この圧電材料は、音響インピーダンスが小さいため空中用の超音波トランスデューサとして用いると、 MHz帯域での送受信が可能である。本研究では、 P(VDF/TrFE)溶液から、直接レゾネータを製作できる点に着目し、接着ロスのない高感度のトランスデューサを用いて、高周波での物質内部の画像化を試みた。その結果、 2.5MHzの高周波に於いて、 IC(ROCKWELL/11229-12)内部の画像化に成功した。
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