| 研究課題/領域番号 |
22560670
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
樋口 透 東京理科大学, 理学部, 講師 (80328559)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 軟エックス線発光分光 / プロトン伝導体 / 電子構造 / 不純物濃度 / 酸素欠損 / 価電子帯 / 混成軌道 / 結合距離 / プロトン導電体 / 酸素欠陥 |
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| 研究概要 |
本研究ではプロトン導電体BaCe0.9Y0.1O3.8薄膜をスパッタ法により作製し、軟X線分光による電子構造の研究を通して、欠陥および不純物濃度に関する知見を得た。薄膜は、プロトン伝導する温度領域(500℃)で結晶化し、バルクに匹敵するプロトン伝導度を示した。X線吸収分光の測定では、バンドギャップ中にホールとアクセプター準位の構造を示し、伝導帯直下に酸素欠陥に起因する構造が観測された。これらの構造を定量的に解析すると、アクセプタ-置換量の30%がホールに、約70%が酸素欠陥を生成する要因になっていることが明らかになった。
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