| 研究課題/領域番号 |
22560696
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
石丸 学 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (00264086)
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| 研究分担者 |
佐藤 和久 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (70314424)
長谷川 繁彦 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50189528)
朝日 一 大阪大学, 産業科学研究所, 特任教授 (90192947)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 自己組織化 / 低次元構造 / 相分離 / 規則化 / 透過電子顕微鏡 / 欠陥制御 / 透過電子顕微鏡法 |
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| 研究概要 |
エピタキシャル成長時およびイオン照射時に起こる自発的ナノスケール相分離を利用して低次元ナノ構造体を作製し、回折結晶学的手法により構造解析を行った。その結果
(1)2種類の変調周期が共存する GaInP エピタキシャル薄膜および
(2)GaN 中でのGa 面から成る積層欠陥の周期配列が、自発的に形成されることが確認された。
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