固体表面化学結合制御による低温薄膜形成手法探索

• 研究課題/領域番号: 22560713
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 材料加工・処理
• 研究機関: 横浜国立大学
• 研究代表者: 羽深 等 横浜国立大学, 大学院・工学研究院, 教授 (40323927)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2011年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: 材料合成プロセス / 炭化珪素 / 表面活性化 / 低温薄膜形成

研究概要

シリコンウエハ表面に活性な表面を形成するため、(1)シリコン結晶CVD薄膜を成膜、(2)シリコンウエハ表面をプラズマ処理(酸化膜・有機物汚染膜の除去)を行い、その条件を最適化すると共に、モノメチルシランを用いて炭化珪素膜を形成した。その結果を踏まえて、シリコン以外の材料(例、アルミニウム・ポリイミドフィルムなど)に成膜する条件を調査した。

研究成果

• [雑誌論文] Amorphous Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition on Metal Surface Using Monomethylsilane Gas at Low Temperatures (2013)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka and Masaki Tsuji
  • 雑誌名: Surface and Coating Technology 巻: 217 ページ: 88-93
  • DOI: 10.1016/j.surfcoat.2012.11.078
  • 査読あり
• [雑誌論文] Amorphous Silicon Carbide Film Formation at Room Temperature by Monomethylsilane Gas (2012)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka and Masaki Tsuji
  • 雑誌名: Materials Science Forum 巻: 740-742巻 ページ: 235-238
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.235
  • 査読あり
• [雑誌論文] Yusuke Ando and Masaki Tsuji, Room Temperature Process for Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide Thin Film Using Monomethylsilane Gas (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka
  • 雑誌名: Surface & Coatings Technology 巻: 206巻 号: 6 ページ: 1503-1506
  • DOI: 10.1016/j.surfcoat.2011.09.037
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mechanism of Silicon Carbide Film Deposition at Room Temperature Using Monomethylsilane Gas (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka and Yusuke Ando
  • 雑誌名: Journal of Electrochemical Society 巻: 158巻
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mechanism of Silicon Carbide Film Deposition at Room Temperature Using Monomethylsilane Gas (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka, Yusuke Ando
  • 雑誌名: Journal of Electrochemical Society 巻: 158
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of Reactive Surface Preparation for Room Temperature Silicon Carbide Film Deposition from Monomethylsilane Gas (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka, Ken-Ichi Kote
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low Temperature SiC Film Deposition Using Trichlorosilane Gas and Monomethylsilane Gas (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka, Yusuke Ando
  • 雑誌名: Journal of Nanoscience and Nanotechnology 巻: 11 ページ: 8374-8377
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mechanism of Silicon Carbide Film Deposition at Room Temperature Using Monomethylsilane Gas (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka, Yusuke Ando
  • 雑誌名: J.Electrochem.Soc 巻: 158
  • 査読あり
• [雑誌論文] Silicon Carbide Film Deposition at Low Temperatures Using Monomethylsilane Gas (2010)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka Hiroshi Ohmori and Yusuke Ando
  • 雑誌名: Surface and Coating Technology 巻: 204巻
  • 査読あり
• [雑誌論文] Silicon Carbide Film Deposition at Low Temperatures Using Monomethylsilane Gas (2010)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka Hiroshi Ohmori, Yusuke Ando
  • 雑誌名: Surf.Coat.Tech 巻: 204 ページ: 1432-1437
  • 査読あり
• [学会発表] シリコン中間層を用いた炭化珪素薄膜低温形成法 (2012)
  • 著者名/発表者名: 津地雅希,羽深等
  • 学会等名: 第21回SiC研究会講演会
  • 発表場所: 大阪市中央公会堂
  • 年月日: 2012-11-19
• [学会発表] 炭化珪素薄膜の低温形成法(2) (2012)
  • 著者名/発表者名: 津地雅希,羽深等
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] Amorphous Silicon Carbide Film Formation at Room Temperature by Monomethylsilane Gas (2012)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka, Masaki Tsuji and Yusuke Ando
  • 学会等名: The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Saint Petersburg, Russia
  • 年月日: 2012-09-04
• [学会発表] Amorphous Silicon Carbide Thin Film Formation at Room Temperature Using Monomethylsilane Gas (2012)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka, Masaki Tsuji and Yusuke Ando
  • 学会等名: Materials Research Society
  • 発表場所: San Francisco
  • 年月日: 2012-04-10
• [学会発表] 炭化珪素薄膜の低温形成法 (2012)
  • 著者名/発表者名: 津地雅希,羽深等
  • 学会等名: 2012年化学工学会横浜大会
  • 発表場所: 横浜国立大学
• [学会発表] 炭化珪素薄膜の室温形成法 (2011)
  • 著者名/発表者名: 津地雅希、安藤祐介、羽深等
  • 学会等名: 第20回シリコンカーバイ ド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2011-12-08
• [学会発表] 炭化珪素薄膜の室温形成法 (2011)
  • 著者名/発表者名: 津地雅希、安藤祐介、羽深, 等
  • 学会等名: 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2011-12-08
• [学会発表] 炭化珪素薄膜の室温形成法 (2011)
  • 著者名/発表者名: 安藤裕介、津地雅希、羽深等
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] モノメチルシランガスによるSiC薄膜の低温堆積 (2010)
  • 著者名/発表者名: 安藤裕介、大森弘士、羽深等
  • 学会等名: 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2010-10-21
• [学会発表] モノメチルシランガスを用いたSiC薄膜の低温堆積 (2010)
  • 著者名/発表者名: 安藤裕介、羽深等
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] モノメチルシランガスを用いたSiC薄膜の低温堆積 (2010)
  • 著者名/発表者名: 安藤裕介、羽深, 等
  • 学会等名: 2010年(平成22年)秋第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 炭化珪素薄膜の低温形成法(2)
  • 著者名/発表者名: 津地雅希，羽深 等
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] シリコン中間層を用いた炭化珪素薄膜低温形成法
  • 著者名/発表者名: 津地雅希，羽深 等
  • 学会等名: 第21回SiC研究会講演会
  • 発表場所: 大阪市中央公会堂
• [学会発表] Amorphous Silicon Carbide Thin Film Formation at Room Temperature Using Monomethylsilane Gas
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka, Masaki Tsuji, and Yusuke Ando
  • 学会等名: Materials Research Society
  • 発表場所: San Francisco, USA
• [図書] Nova Science Publishers(Hauppauge NY USA) (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka
  • 出版者: Silicon Carbide: New Materials, Production Methods and Applications
• [図書] InTech,(Vienna, Austria) (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka
  • 出版者: Properties andApplications of Silicon Carbide
• [図書] Silicon Carbide : New Materials, Production Methods and Applications (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka
  • 出版者: Nova Science Publishers (Hauppauge NY USA)(印刷中につき不明)
• [図書] Properties and Applications of Silicon Carbide (2011)
  • 著者名/発表者名: Hitoshi Habuka
  • 出版者: In Tech, (Vienna, Austria)(印刷中につき不明)
• [備考]
  • URL: http://www.habukalab.ynu.ac.jp/