| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| 研究概要 |
過フッ素化合物(PFC)は,半導体産業におけるエッチングやクリーニングエ程において多量に使用されているが,温暖化係数が極めて高いので排出削減が必要である。我々は,半導体産業から排出されるPFCガスからフッ素を回収する新しい乾式ガス処理技術の開発を行った。開発する処理システムは,PFCガスを加熱分解した後の排ガスを2種類の吸着材で吸収除害するものであり,上部の炭酸カルシウム層で分解ガス中のHFガスを吸収して高純度の蛍石として回収する。そして,下部の炭酸水素ナトリウム層で残りのHFとSiF4ガスを吸収除害するものである。本研究では,それぞれの吸着材の気固反応特性を解析した。炭酸カルシウムの気固反応特性では,HFガスの破過特性を解析し,未反応核モデルと固定床反応モデルを用いて反応速度係数を導出した。また,炭酸水素ナトリウムの気固反応特性では,HFガスとSiF4ガスそれぞれに対して吸収容量を調べた。これらの解析結果から,乾式ガス処理システムの最適設計技術を開発した。
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