研究課題
基盤研究(C)
ニオブ錫線材を対象として原子炉で中性子照射を行い、照射後、磁化特性を測定するとと もに、磁場中での臨界温度を計測し、超伝導特性に及ぼす中性子照射の影響を検討した。 その結果、0.1 MeV 以上のエネルギーを持つ中性子を1 平方メートル当たり10 の22 乗個 照射すると、臨界電流が増加し、同じく10 の24 乗個照射すると超伝導特性を示さなくな ることを明らかにした。中性子照射によって磁束のピン止め力が強化され、臨界電流が増 加したと考えられる。
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