| 研究課題/領域番号 |
22651039
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
白樫 淳一 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 准教授 (00315657)
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| 連携研究者 |
竹村 泰司 横浜国立大学, 大学院・工学研究院, 教授 (30251763)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,580千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 480千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2010年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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| キーワード | ナノ構造形成・制御 / ナノギャップ / エレクトロマイグレーション / マイクロ・ナノデバイス / 少数電子素子 / 強磁性単電子トランジスタ / 電界放射電流 / 原子移動制御 |
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| 研究概要 |
本研究課題では、以下の研究成果を達成した。
(1)ナノギャップでのエレクトロマイグレーションにより駆動される原子移動機構を用いた単電子トランジスタ(SET)作製技術の開発:電流源の極性を交互に変化させたアクティベーション手法を提案・検討した。極性変化を行う事で、ナノギャップ電極の双方から原子の移動が生じ、ナノギャップのより微細な構造制御や狭窄化に成功した。
(2)複数のナノギャップを直列に接続した集積型ナノギャップでのSET構造の一括作製・特性制御・集積化技術の開発：アクティベーションにより2つのSET構造の一括作製および集積化を達成した。集積した2つのSETはほぼ同一の特性を有し、アクティベーション条件によりナノギャップ系SETの素子特性を同時に制御・調節しながら、SETを集積化することが可能であることが明らかとなった。さらに、本手法において得られたラテラル型Ni/真空障壁/Ni系磁性トンネル接合単体でのトンネル磁気抵抗効果（TMR）から、室温にて10%程度のTMRの観測に成功した。
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