| 研究概要 |
本研究では,原子層一層からなる2次元グラファイト(グラフェン)に対して半導体ナノ微細加工技術と新規プロセス技術開発を組み合わせることによって,原子スケールで構造制御された量子デバイスの作製を目標とし,そのプロセス技術開発を探索した。具体的には,グラフェンのエッジ部分の選択的な化学修飾と,半導体微細加工技術を組み合わせることによるトランジスタ構造素子の作製プロセスの開発を行った。実験の結果から,化学修飾がグラフェンのエッジ部分で選択的に行われていることを確認し,グラフェンのエッジを化学的手法によって構造制御するための重要なステップを達成した。この結果は今後のナノ・原子スケールグラフェンデバイスの作製に応用できると考えられる。
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