| 研究課題/領域番号 |
22656038
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
遠藤 勝義 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90152008)
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| 研究分担者 |
服部 梓 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (80464238)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,610千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 510千円)
2011年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2010年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / 表面科学 / 表面原子構造 / プロセス表面 / 結晶欠陥 / 表面清浄化 / ワイドギャップ半導体 / ウエットエッチング / 発光特性 |
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| 研究概要 |
表面計測に基づきGaNエピタキシャル成長前の基板表面清浄化技術の開発を行った。溶液によるエッチングと超高真空中での加熱処理を組み合わせ、原子レベルで平坦なGaN(0001)表面作製法を構築し、汎用清浄化手法を確立した。表面の清浄化により、無輻射発光中心になっていた表面の自然酸化膜、ダメージ層との界面にある欠陥サイトが除去でき、最大120倍という発光特性の向上に成功した。
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