| 研究概要 |
有機金属分子線エピタキシ法(MOMBE)を用いてGaAs(001)基板上にType II正孔局在型量子ドット構造を作製した.原料分子との表面反応を制御した成長法により,10^6 cm^<-2>の低密度でサブミクロンサイズのGaAsSbドットを自己組織的に作製できた.TDMASbを用いた選択エッチングにより,頂点は円形の(001)ファセット(直径120nm),側面は{111}と{110}のファセット構造が形成できた.また,高さが6nmで直径が400nmのリング状GaAsナノ構造を自己組織的に形成でき,その上に2個の量子ドットを対で選択的に成長することができた.これは量子ドットの生成が(411)Bファセット上で優先的に生じることを示唆している.本研究で開発した新しい作製プロセスにより,密度および生成位置を制御して正孔局在型量子ドット構造を作製することが可能になった.
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