| 研究課題/領域番号 |
22656071
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
中根 了昌 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任講師 (50422332)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,470千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / 量子閉じ込め / 磁性 / スピンエレクトロニクス / 先端機能デバイス / 電気・電子材料 |
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| 研究概要 |
本研究では磁性体微粒子を含む酸化物ヘテロ構造の創製と半導体電子デバイスへの応用を最終目標にして、そのために必要な高品質エピタキシャル酸化物薄膜/シリコン構造の作製と評価をおこなった。超高真空EB蒸着法、基板温度、導入酸素ガス流量の最適化をおこなうことにより、Si(111)基板上へのAl2O3のエピタキシャル成長をおこなった。また、このエピタキシャル構造の結晶相、組成比、界面特性に関してX線光電子分光により評価をおこなった。
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