| 研究課題/領域番号 |
22656082
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 静岡大学 |
|---|
研究代表者 |
田部 道晴 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
|
|---|
| 研究分担者 |
水田 博 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 教授 (90372458)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,650千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 450千円)
2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2010年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
|
|---|
| キーワード | 電子デバイス・機器 / スピンデバイス / ドーパント複合体 |
|---|
| 研究概要 |
本研究において、これまでに得た主な研究成果は以下のとおりである。Si SOI-MOSFETにおいてチャネル部をナノメートル寸法にすると、ドーピングされたPドナーは、単独で量子サイズ効果と誘電閉じ込め効果のためにバルクSiの値の数倍以上のイオン化エネルギーをもつことを実験的に明らかにした。また、BとPの配置によっては、電子に対する量子井戸をさらに深くすることが可能であることを示した。
|
