| 研究課題/領域番号 |
22656083
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
藤本 公三 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70135664)
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| 研究分担者 |
福本 信次 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60275310)
松嶋 道也 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (90403154)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,400千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 低温接合 / 銅 / 高融点金属間化合物 / マイクロ接合 / 低融点金属 / 固液反応 / カーケンダルボイド / 偏析 / Zn添加 / 三次元ウェハレベル実装 / マルチフェイズ接合 / 3次元実装 / MEMS実装 / 多層薄膜 / 信頼性 |
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| 研究概要 |
近年,電子デバイスの高密度化および使用環境の高温化にともない, 200℃以上での使用環境に耐えうるCu接合部を300℃以下のプロセス温度で作製する必要がある.本研究では接合界面にSn/ Cu多層薄膜をインサート材として用いることで,接合部に固液共存状態を作り出して接合し,接合部を高融点化合物にすることに成功した.またZnをインサート層中に微量添加することで接合部に形成されるボイドを抑制し,高い信頼性を持つ合金接合部の形成を達成した.
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