| 研究課題/領域番号 |
22656170
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属生産工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
佐藤 讓 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80108464)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,520千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 420千円)
2011年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2010年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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| キーワード | 結晶育成 / 窒化物 / 化合物半導体 / 溶融塩 / 窒化物半導体 / 窒化アルミニウム / 反応媒体 / 半導体基板 / 熱化学反応 |
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| 研究概要 |
窒化アルミニウム(AlN)は、紫外領域の発光素子や次世代のパワー半導体として期待されているが、AlNの自立基板の製造法が確立されていないため実用化に至っていない。本研究では、金属Alの表面に形成されたアルミナ層を、溶融弗化物を共存させることで溶解・除去し、N_2もしくはNH_3を反応させAlNを合成することを試みた。その結果、溶融弗化物を用いることにより、Alの融点以下の温度においてすら窒化反応が顕著に進行することが分かった。
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