| 研究課題/領域番号 |
22686003
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
浜屋 宏平 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (90401281)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
25,870千円 (直接経費: 19,900千円、間接経費: 5,970千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2010年度: 19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / ポストCMOS / スピントランジスタ / スピントロニクス / ゲルマニウム結晶成長 / 分子線エピタキシー |
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| 研究概要 |
強磁性ホイスラー合金Fe_3Si(111)面とIV 族半導体Ge(111)面の原子マッチングが極めて良好であることに着眼し,低温MBE 法を利用して,界面異種反応の究極的低減を実現することで,Ge薄膜をFe_3Si 上にエピタキシャル成長する革新的技術を開発した.これにより,Fe_3Si/Ge/Fe_3Siからなる全単結晶縦型スピン伝導素子を実現する基盤技術が構築され,『極短チャネル化』や『3 次元高集積化』を期待させる縦型半導体スピンデバイス実現の可能性が示された.
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