表面プラズモン制御による発光素子の高効率化

• 研究課題/領域番号: 22686031
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 井上 茂 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (10470113)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 15,340千円 (直接経費: 11,800千円、間接経費: 3,540千円); 2011年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円); 2010年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
• キーワード: III族窒化物半導体 / III族窒化物 / 表面プラズモン

研究概要

緑色域における発光素子の効率改善が望まれている。この問題を解決する方法として表面プラズモンの利用が考えられる。本研究ではスループットが高い結晶成長手法であるパルススパッタ堆積法を用いて作製した半導体薄膜と金属薄膜を組み合わせることで表面プラズモンによる増強効果を利用して高効率緑色発光素子の実現に必要な手法を確立した。

研究成果

• [雑誌論文] 金属基板上への窒化物半導体低温成長 (2012)
  • 著者名/発表者名: 井上茂, 太田実雄, 小林篤, 藤岡洋
  • 雑誌名: 日本結晶成長学会誌 巻: 38巻 ページ: 249-254
  • 査読あり
• [学会発表] PSD法によるAlGaN/GaN HEMT構造の特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 丹所昂平,井上茂,太田実雄,藤岡洋
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] PSD法によるAlGaN/GaN HEMT構造の特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 丹所昂平, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] PSD法により作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 丹所昂平,田村和也,井上茂,太田実雄,藤岡洋
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] PSD法により作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 丹所昂平, 田村和也, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] フルカラーInGaN発光ダイオードの作製と評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 田村和也,太田実雄,丹所昂平,小林篤,井上茂,藤岡洋
  • 学会等名: 第58回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-24