研究課題
若手研究(A)
結晶性MgAl2O4バリアを用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功し,接合界面に欠陥を含まない格子整合界面の実現およびコヒーレントトンネル効果によるTMR比増大効果を実証した。さらに,MgAl2O4のスピネル構造の陽イオン位置を不規則化させたMgAl2O4を用いることでTMR比が飛躍的に増大することを明らかにし,この効果によって室温で300%以上の巨大なTMR比を達成した。これによってMgAl2O4のスピントロニクス材料としての有望性が明らかになった。
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