| 研究課題/領域番号 |
22710129
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
宮澤 俊之 東京大学, ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構, 特任研究員 (30569900)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 単一光子発生器 / 量子ドット / 通信波長帯 / 荷電励起子 / トンネル注入 / サイドゲート / p-i-nダイオード / メサ構造 |
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| 研究概要 |
本研究は量子情報技術の中核デバイスである単一光子発生器を電気制御によって、高性能・高機能化を進めるものである。単一光子発生部に用いる量子ドットに関して、電子状態解析からによって、トンネルやクーロンブロッケードを用いた電流注入手法を検討し、共鳴トンネル注入の可能性を示した。一方で、p-i-n構造とサイドゲートを有したデバイスを作成し、量子ドットへの横方向電場印加によって波長可変単一光子発生の実証などにも成功した。
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