研究課題
若手研究(B)
エレクトロマイグレーション自己破断接合法による分子サイズギャップ電極作製技術を開発し、同技術を応用して面内型ゲーティングナノポアを作製した。このデバイスを用いて、電極間に発生させた静電場の影響により、電極間を移動する単一分子の移動速度が大きく低下することを明らかにした。以上の結果は、電極間に架橋した分子の配向・形状を静電場で制御するタイプの静電応力駆動型単分子スイッチを設計する上での指針となる。
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