| 研究課題/領域番号 |
22710133
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
森本 崇宏 独立行政法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 協力研究員 (30525895)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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| キーワード | CNT / 2重量子ドット / テラヘルツ検出 / 高温動作 / テラヘルツ / カーボンナノチューブ / 量子ドット |
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| 研究概要 |
本研究課題は、従来困難であったTHz波の高温・高感度動作を実現するために、カーボンナノチューブ2重量子ドットを用い、そのトンネル障壁を精密制御することで高温・高感度動作を目指すものである。2重量子ドットのトンネル障壁は、ALD法を用いたHfO_2の単原子層制御によるソースドレイン障壁作成と、電子線照射ドーズ量制御を用いたドット間結合障壁作成により行い、THz照射下における低温伝導特性評価を行った。また、ALD被膜DWCNT-FETの両極性伝導についても詳しい特性を明らかにした。
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