| 研究課題/領域番号 |
22740136
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
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| 研究機関 | 東京大学 (2011)
東北大学 (2010) |
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研究代表者 |
小貫 良行 東京大学, 素粒子物理国際研究センター, 助教 (40415120)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | 素粒子物理 / SOI / 半導体検出器 / シリコン / 放射線検出器 / 放射線 |
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| 研究概要 |
Silicon On Insulator(SOI)技術を用いた半導体放射線位置検出器の様々な放射線試験を遂行した。2010年にX線を様々なSOI MOSFETへの照射実験を行い、埋め込み酸化膜直下に配したBPW(Buried P-Well)が放射線耐性を向上させることを発見した。同年に東北大電子光理学研究センターの陽電子ビームを用い、SOI検出器3層による飛跡再構成試験を実施しSOI検出器初の飛跡再構成に成功した。2011年には欧州原子核研究機構(CERN)において120GeVハドロンビームを用い、SOI検出器4層による飛跡再構成試験を実施し、固有位置分解能、検出効率などの素子としての評価を実施することができた。
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