研究課題
若手研究(B)
NEA光陰極として、ワイドバンドギャップ半導体を採用する事で、高効率化と高い耐久性を実現した。活性層厚100nmのInGaN-GaN超格子において1. 5%を越える量子効率を得る事に成功し、従来型が0. 1%程度であるのに対して1桁大きい効率を得る事に成功した。また、NEA-GaNではN2大気圧暴露を行った後でも電子放出が可能であり、従来型GaAs光陰極に比べて十分に高い耐久性を有する事が証明された。
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