| 研究課題/領域番号 |
22740360
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 富山大学 |
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研究代表者 |
伊藤 弘昭 富山大学, 理工学研究部(工学), 准教授 (70302445)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | パルス重イオンビーム / 金属イオンビーム / 真空アークプラズマガン / パルスパワー技術 / パルスイオン注入 / 高強度パルス重イオンビーム / 員空アークプラズマガン |
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| 研究概要 |
次世代省エネルギー用半導体材料への新しいイオン注入技術であるパルスイオン注入法の実現に向け、本研究では真空アーク放電を利用した同軸プラズマガンイオン源を用いたp型ドーパント用のパルスアルミニウムイオンビーム発生技術の開発を行い、アルミニウムの比率が89%という従来技術よりも高純度のパルスアルミニウムイオンビームを得ることができた。さらに、アモルファスシリコン薄膜にイオンビームを照射した結果、アモルファス薄膜が多結晶化しており、パルスイオンビームによる照射効果を確認できた。
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