| 研究課題/領域番号 |
22750166
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 山形大学 |
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研究代表者 |
中山 健一 山形大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (20324808)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | n型有機FET / 有機トランジスタ / 有機FET / 大気下安定 / n型 / 有機半導体 |
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| 研究概要 |
有機FETにおいて、チャネル層材料とは逆の極性を持つ有機半導体材料を絶縁層とチャネル層の間に挿入した「ヘテロ積層型構造」を検討し、界面におけるFET電荷輸送特性について考察を行った。アクセプター材料/p型有機半導体界面におけるFET特性をエネルギー的観点、薄膜構造の観点から検証し、性能改善の因子を解明した。また、ドナー材料/N型有機半導体界面における電荷の授受を「電荷発生」の観点から捉え、界面の電子状態について考察を行った。
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