| 研究課題/領域番号 |
22760003
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
三浦 良雄 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (10361198)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2010年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 磁気異方性 / 第一原理計算 / ヘテロ界面 / 不揮発メモリ / 電界効果 / 界面磁性 / 電子状態 |
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| 研究概要 |
垂直磁化型の半導体への高スピン偏極電流注入源の理論設計を目的として、Fe/GaAs(001)界面における結晶磁気異方性エネルギー(MAE)の第一原理計算を行った。多層膜構造のFe(13層)/GaAsのMAEは、As終端界面で0. 898[mJ/m^2] 、Ga終端界面で0. 469[mJ/m^2] となり、どちらも垂直磁気異方性が得られた。しかしFe13層の磁化の反磁界エネルギーは約2[mJ/m^2] とMAEよりも大きいため、実際に垂直磁化膜を得るためにはFe層を1nm以下まで薄くする必要がある。
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