研究課題
若手研究(B)
太陽電池の変換効率を向上させるために、(1) Geの添加がSi結晶中のボイド欠陥形成と光照射による結晶品質劣化に及ぼす効果と(2) GaをドープしたSi1-xGex結晶の欠陥発生機構及び寿命に対するGe組成の効果を調べた。Gaドープ濃度を増加させると、少数キャリア寿命が増加し、フローパターン欠陥密度と格子間酸素濃度が減少した。これらの現象は、Ge-空孔の複合体が不均一核形成センターとして働くことで、酸素析出物を形成し、格子間酸素濃度が減少することを示している。
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