| 研究課題/領域番号 |
22760006
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
中野 貴之 静岡大学, 工学部, 助教 (00435827)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / 極性構造 / GaN / ナノ構造 / III族窒化物半導体 / 結晶成長 / 極性制御 / 有機金属気相エピタキシー法 / 両極性同時成長 |
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| 研究概要 |
本研究はワイドギャップ半導体材料である窒化ガリウム(GaN)の結晶構造における非対称性に着目し、結晶構造の裏表となる極性を制御する手法の開発に取り組んだ。結晶成長における再表面の状態が重要であることから、結晶成長最表面の処理方法を検討することにより、任意の選択領域に異なる極性面を成長する方法を開発した。更に、成長途中においてMg原子を表面吸着させることによって極性が入れ替わる現象についても詳細な検討を行い、Mg偏析層が極性反転の起因となっていることを明らかにした。これらの研究成果により、GaNを用いた三次元構造デバイスの作製が期待でき、新しい機能デバイスの可能性が示唆された。
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