| 研究課題/領域番号 |
22760010
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 滋賀県立大学 |
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研究代表者 |
竹内日 出雄 (竹内 日出雄) 滋賀県立大学, 工学部, 准教授 (50512779)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円)
2011年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2010年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | 光物性 / テラヘルツ電磁波 / 超高速現象 / コヒーレント縦光学フォノン / プラズモン / 光変調反射分光 / GaAsエピタキシャル膜 |
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| 研究概要 |
周波数可変 THz エミッタの設計原理の構築を行った。アンドープGaAs/n-type GaAs という単純なエピ構造に着目した。i-GaAs 層厚を制御することにより,サージ電流を制御し周波数可変性を実現した。縦光学(LO)フォノン・プラズモンを用いた周波数可変エミッタの研究を行った。さらに内部電場の増強に着目し,歪多重量子井戸を用いてコヒーレント LO フォノンからの単色性 THz エミッタの開発を行った。
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