| 研究課題/領域番号 |
22760017
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
藤川 紗千恵 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 基礎科学特別研究員 (90550327)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | DUV-LED / AlN / AlGaN / sapphire / MOCVD / LED / サファイア / Si基板 |
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| 研究概要 |
サファイアオフ角a軸傾斜基板を用いて高品質AlNの作製、AlGaN量子井戸領域へのSiモジュレーションドーピングにより内部量子効率改善、多重障壁バリア層導入による電子注入効率の向上、各膜厚や膜質の最適化等を行った。その結果、安易に良質なAlN表面平坦な膜を形成できることを明らかにし、波長270nmにおいて最高光出力33mW、最高外部量子効率約4%と世界最高レベルの深紫外LEDを実現した。
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