| 研究課題/領域番号 |
22760018
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
西尾 隆宏 独立行政法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 基礎科学特別研究員 (30565271)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | インジウム砒素ナノワイヤ / 超伝導 / トランズモン / 量子細線 / アンドレーエフ束縛状態 / 量子ビット / マイクロ波 / ジョセフソン接合 / InAsナノワイヤ / アンドレーエフ反射 / 量子コンピューティング / 超伝導トランジスタ |
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| 研究概要 |
スパッタエッチングとその場蒸着により、インジウム砒素半導体ナノワイヤに接触抵抗の低い超伝導電極を取り付け、高い電子移動度を有する電界効果型のナノワイヤデバイス作製法を確立した。低温では超伝導電流や多重アンドレーエフ反射、シャピロステップを観測している。特にピンチオフ近傍では、量子細線の特性であるファブリペロー干渉、コンダクタンスの量子化を観測した。さらに超伝導電流が流れる条件を用いてトランズモン型ナノワイヤ超伝導量子ビットを試作した。
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