| 研究課題/領域番号 |
22760021
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
大澤 健男 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (00450289)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | 走査プローブ顕微鏡 / エピタキシャル成長 / 酸化物薄膜 / 表面・界面 / エピタキシャル薄膜 / ペロブスカイト結晶 / チタン酸ストロンチウム / パルスレーザー堆積法 / 酸化物半導体 / ペロブスカイト型結晶 |
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| 研究概要 |
多彩な物性を示すペロブスカイト型チタン酸化物に注目し、薄膜の初期成長過程を原子レベル分解能で理解するための研究を実施した。真に原子レベルで秩序構造を有する原子制御単結晶基板上に成長した界面を走査型トンネル顕微鏡で精密に計測することによって、酸化物薄膜の成長化学を開拓した。本研究で遂行した真の原子レベルから観る酸化物薄膜研究が、デバイス特性向上に結びつく多くの知見を与え、より優れた高品質材料を創出することに繋がるものと期待できる。
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