| 研究課題/領域番号 |
22760024
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小倉 正平 東京大学, 生産技術研究所, 技術職員 (10396905)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 走査プローブ顕微鏡 / 表面拡散 / モンテカルロシミュレーション / 走査トンネル顕微鏡 / 金 |
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| 研究概要 |
本研究では原子追跡走査トンネル顕微鏡により金属表面におけるAu単原子の拡散頻度を直接測定し,拡散における吸着子間相互作用を明らかにすることを目的とした.さらに吸着子間相互作用を取り入れたモンテカルロシミュレーションにより従来得られている異常に低い頻度因子の起源を明らかにすることを試みた.ソフトウェアの再開発を行い必要な速度で動作させることに成功し,シミュレーションによりAu原子が他のAu原子に近づく際に付加的な拡散障壁を感じると島の密度が上昇することを明らかにした.
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