| 研究課題/領域番号 |
22760032
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
鈴木 拓 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主幹研究員 (60354354)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | ビーム応用 / 電子スピン / 表面スピン / スピン偏極イオンビーム / イオン散乱分光法 |
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| 研究概要 |
本研究では、磁気ヒステリシス測定等から、スピン偏極イオン散乱分光法による表面磁性分析の妥当性を確認した。さらにイオンビームでは初めて、非断熱遷移間での量子干渉をビーム偏極率の磁気振動として観測することに成功した。さらに、低速イオン散乱の衝突課程において、入射イオンの電子スピンに起因するスピン軌道相互作用を発見し、この相互作用を利用することで、電子スピンを有するイオンをスピン偏極出来ることが明らかとなった。
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