| 研究課題/領域番号 |
22760033
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
圓谷 志郎 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 先端基礎研究センター, 任期付研究員 (40549664)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | グラフェン / エピタキシャル成長 / ラマン分光 |
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| 研究概要 |
グラフェンへの高効率スピン注入の実現に向けた実験的研究を行った。顕微ラマン分光の測定により、単層グラフェンと2 層以上のグラフェンにおいて金属との相互作用の様相が異なることを明らかにした。さらに、化学気相蒸着法によるNi(111)薄膜上へのグラフェン成長中の結晶構造や表面化学組成のその場観察により、前駆体となるベンゼンの曝露量の最適化により、単層および2 層グラフェンの層数制御成長に成功した。これらの成果を基に、ボトムコンタクト型の面内グラフェン素子の作製に成功した。
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