| 研究課題/領域番号 |
22760222
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
趙 明 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (50512224)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2010年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 作成 / 評価技術 / NBTI / 高精度ERDA / 高精度RBS / ERDA / RBS / 超薄型連続金属膜 |
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| 研究概要 |
スパッタおよび50eVイオン照射を用い、厚さ3nmの均一金属膜を作製した。その後、ERDAの手法を用いCMOS用の汎用Si基板にHが含まれることを見いだし、従来のNBTI理論に関する1つの仮説を実験証明ができた。また、260℃以上の設定温度で、HがSi基板外に拡散することを観測し、拡散律速論と呼ばれるモデルがNBTIに適用できることを証明した。この結果を受け、CMOSの製造パラメータを最適化するモデルの構築が可能になると考えられる。
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