研究課題
若手研究(B)
ドットの結晶構造の均一性と製造の容易さに大きな特徴をもつ新規な磁性ナノ構造体の作製法を確立した。強磁性(FM)-弱FMナノ構造体(FMドット径50nm)では、ドット-スペーシング間における交換結合の影響で保磁力分散が約2/5に低減された。FM-反強磁性(AF)ナノ構造体では、交換バイアスが生じず、その理由はスピン配列がAF1またはAF3型であるか、またはAF膜厚がスピンフラストレーションの存在のための臨界膜厚よりも薄かった可能性が考えられる。これらの結果はHDDへの応用の観点からは、反転磁場分布の抑制に対して有利であると考える。
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Journal of Applied Physics
巻: Vol.111,No.7
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FePtRh film, Journal of Applied Physics
巻: Vol.109,No.7
Journal of the society of materials engineering for resources of Japan
巻: Vol.23,No.2 ページ: 43-47
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電子情報通信学会技術研究報告;信学技報(IEICE Technical Report)
巻: Vol.110,No.225 ページ: 19-23
110008106268
信学技報(IEICE Technical Report)
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