閃亜鉛鉱型MnAs強磁性ナノ微粒子を用いたスピン起電力デバイスの研究

• 研究課題/領域番号: 22760225
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: ファム ナムハイ (PHAM NAMHAI) 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任助教 (50571717)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円); 2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2010年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: 薄膜 / 量子構造 / 半導体スピントロニクス / MnAs / 微粒子 / クーロン・ブロッケード / スピノダル分解 / 半導体スピントロニックス

研究概要

本研究では半導体スピントロ二クスの応用に向けたGaAs半導体中に分散しているMnAs微粒子の作製技術を確立したとともに、MnAs微粒子を含む磁気トンネル接合および単電子スピントランジスタを作製し、それらのデバイスにおけるスピン依存伝導特性の評価を行った。その結果:(1)相分離ダイアグラムにおけるスピノーダル分解によるバラツキの少ないMnAs微粒子の作製技術を確立できた。(2)単電子スピントランジスタにおけるスピン蓄積と長いスピン緩和時間を実現した。(3)非磁性電極とMnAs微粒子を含む二重トンネル接合における磁気抵抗効果とその起源を明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Magnetoresistance enhanced by inelastic cotunneling in a ferromagnetic MnAs nanoparticle sandwiched by nonmagneticelectrodes (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Akiyama, S. Ohya, P. N. Hai, and M. Tanaka
  • 雑誌名: J. Appl. Phys 巻: 111 ページ: 63716-63716
• [雑誌論文] Magnetoresistance enhanced by inelastic cotunneling in a ferromagnetic MnAs nanoparticle sandwiched by nonmagnetic electrodes (2012)
  • 著者名/発表者名: R.Akiyama, S.Ohya, P.N.Hai, M.Tanaka
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 111 号: 6 ページ: 63716-63721
  • DOI: 10.1063/1.3695990
  • 査読あり
• [雑誌論文] Phase decomposition diagram of magnetic alloy semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, S. Yada and M. Tanaka
  • 雑誌名: J. Appl. Phys 巻: 109 ページ: 73919-73919
• [雑誌論文] Structural and magnetic properties of Ge1-xMnxthin films grown on Ge(001) substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Yada, P. N. Hai, S. Sugahara, M. Tanaka
  • 雑誌名: J. Appl. Phys 巻: 110 ページ: 73903-73903
• [雑誌論文] Phase decomposition diagram of magnetic alloy semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai, Shinsuke Yada, Masaaki Tanaka
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 109 号: 7 ページ: 73919-73919
  • DOI: 10.1063/1.3567112
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural and magnetic properties of Ge_<1-x>Mn_x thin films grown on Ge(001) substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: Shinsuke Yada, Pham Nam Hai, Satoshi Sugahara, Masaaki Tanaka
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 110 号: 7 ページ: 73903-73903
  • DOI: 10.1063/1.3638701
  • 査読あり
• [雑誌論文] Valence-band structure of the ferromagnetic semiconductor GaMnAs studied byspin-dependent resonant tunneling spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Ohya, I. Muneta, P. N. Hai, and M. Tanaka
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett 巻: 104 ページ: 167204-167204
• [雑誌論文] Long spin-relaxation time in a single metal nanoparticle (2010)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, S. Ohya and M. Tanaka
  • 雑誌名: Nature Nanotechnology 巻: 5 ページ: 593-596
• [雑誌論文] Valence-band structure of the ferromagnetic semiconductor GaMnAs studied by spin-dependent resonant tunneling spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: Shinobu Ohya
  • 雑誌名: Physical Review Letter 巻: 104 ページ: 167204-167204
  • 査読あり
• [学会発表] 強磁性半導体(In,Fe)Asにおける異方性磁気抵抗効果と結晶磁気異方性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐々木大輔
  • 学会等名: 超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点終了シンポジウム
  • 発表場所: 東京大学
  • 年月日: 2012-03-27
• [学会発表] 電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asにおける異方性磁気抵抗効果と磁気異方性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐々木大輔
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asにおける強磁性ドメイン構造 (2012)
  • 著者名/発表者名: ファム ナム ハイ
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] A new Fe-based n-type electron-induced ferromagnetic semiconductor :(In, Fe) As (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Tanaka, P. N. Hai, and L. D. Anh
  • 学会等名: 2nd International Workshop on Magnetic Materials and Nanostructures
  • 発表場所: Tokai, Japan
• [学会発表] Properties of n-type ferromagnetic semiconductor(In, Fe) As : Fe concentration and thickness dependence (2012)
  • 著者名/発表者名: L. D. Anh, P. N. Hai, and M. Tanaka
  • 学会等名: 2nd International Workshop on Magnetic Materials and Nanostructures
  • 発表場所: Tokai, Japan
• [学会発表] Spintronics : Materials and Devices : A New Spin on Semiconductors-Spintronics Research Opens the Way to New Semiconductor Technology (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Tanaka, S. Oyha, R. Nakane, P. N. Hai, S. Yada, R. Akiyama, Y. Ban, S. Sato, I. Muneta, R. Okazaki, and L. D. Anh
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics
  • 発表場所: Takeda Hall, University of Tokyo
• [学会発表] Spintronics : Materials and Devices (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Tanaka, P. N. Hai, L. D. Anh, S. Mohan, and T. Tamegai
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics
  • 発表場所: Takeda Hall, University of Tokyo
• [学会発表] N-type electron-induced ferromagnetic semiconductor with tetrahedral Fe-As bonding (2012)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, L. D. Anh and M. Tanaka
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics, Takeda Hall, 4-7
  • 発表場所: University of Tokyo
• [学会発表] Intrinsic ferromagnetism in(In, Fe) As and its dependence on Fe concentration (2012)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, L. D. Anh and M. Tanaka
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics, Takeda Hall, B-7
  • 発表場所: University of Tokyo
• [学会発表] A new Fe-based n-type electron-induced ferromagnetic semiconductor : (In,Fe)As (2012)
  • 著者名/発表者名: Masaaki Tanaka
  • 学会等名: 2nd International Workshop on Magnetic Materials and Nanostructures
  • 発表場所: Tokai, Japan(Invited)(招待講演)
• [学会発表] Properties of n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As : Feconcentration and thickness dependence (2012)
  • 著者名/発表者名: Le Duc Anh
  • 学会等名: 2nd International Workshop on Magnetic Materials and Nanostructures
  • 発表場所: Tokai, Japan
• [学会発表] Spintronics : Materials and Devices : A New Spin on Semiconductors-Spintronics Research Opens the Way to New Semiconductor Technology (2012)
  • 著者名/発表者名: Masaaki Tanaka
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] Spintronics : Materials and Devices (2012)
  • 著者名/発表者名: Masaaki Tanaka
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] N-type electron-induced ferromagnetic semiconductor with tetrahedral Fe-As bonding (2012)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] Intrinsic ferromagnetism in (In,Fe)As and its dependence on Feconcentration (2012)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] 新しいn型電子誘起強磁性半導体(In,Fe)As (2011)
  • 著者名/発表者名: ファム ナム ハイ
  • 学会等名: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] 強磁性半導体(In,Fe)Asにおける異方性磁気抵抗効果と磁気異方性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐々木大輔
  • 学会等名: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] 極薄InFeAsにおける磁気円二色性スペクトルのブルーシフトの観測 (2011)
  • 著者名/発表者名: レデュックアイン
  • 学会等名: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] 鉄系n型電子誘起強磁性半導体(In,Fe)As (2011)
  • 著者名/発表者名: ファム ナム ハイ
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] N型強磁性半導体InFeAsにおける磁気円二色性、異常ホール効果と磁化特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: レデュックアイン
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Magnetoresistance due to inelastic spin-flip cotunneling within Coulomb blockade regime in III-V semiconductor/MnAs Nanoparticle heterostructures (2011)
  • 著者名/発表者名: Ryota Akiyama
  • 学会等名: 2011 APS Annual March Meeting
  • 発表場所: Dallas, Texas, USA
  • 年月日: 2011-03-23
• [学会発表] III-V based magnetic heterostructures and nanostructures : Bandstructure, spin dependent tunneling, and magnetoresistance (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Tanaka, P. N. Hai, I. Muneta, and S.
  • 学会等名: Ohya(invited), Sweden-Japan Workshop on Quantum Nanoelectronics(QNANO 2011)
  • 発表場所: Visby, Sweden
• [学会発表] Valence-band structure of the ferromagnetic semiconductor GaMnAs (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Ohya, K. Takata, I. Muneta, P. N. Hai, Y. Xin, M. Tanaka
  • 学会等名: 5^<th> International Workshop onSpin Currents ; AP-6
  • 発表場所: Sendai, Miyaghi, Japan
• [学会発表] Joint Polish-Japanese Workshop "Spintronics-from new materials toapplications" (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Ohya, I. Muneta, K. Takata, Y. Xin, P. N. Hai, and M. Tanaka
  • 学会等名: Valence-band structure of(III, Mn) As ferromagnetic semiconductors
  • 発表場所: Warsaw, Poland
• [学会発表] Top-down and bottom-up fabrication of nano-scale spintronic devices and their spin-dependent transport characteristics (2011)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai and M. Tanaka
  • 学会等名: 3rd InternationalWorkshop on Nanotechnology and application(IWNA 2011)
  • 発表場所: Vietnam National University, Ho Chi Minh City
• [学会発表] Magnetoresistance due to inelastic spin-flip cotunneling within Coulomb blockade regime in III-V semiconductor/MnAs nanoparticle heterostructures (2011)
  • 著者名/発表者名: R. Akiyama, S. Ohya, P. N. Hai, M. Tanaka
  • 学会等名: 2011 APS Annual March Meeting
  • 発表場所: Dallas, Texax, USA
• [学会発表] A new Fe-based n-type ferromagnetic semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: L. D. Anh, P. N. Hai, M. Tanaka
  • 学会等名: 5th International Workshop on Spin Currents ; P1-30
  • 発表場所: Sendai, Miyaghi, Japan
• [学会発表] Magnetoresistance induced by spin-dependent inelastic cotunneling in a ferromagnetic MnAs nanoparticle with non-magnetic electrodes (2011)
  • 著者名/発表者名: R. Akiyama, S. Ohya, P. N. Hai, and M. Tanaka
  • 学会等名: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology(SPINTECH6); WP-15
  • 発表場所: Matsue, Shimane, Japan
• [学会発表] A new Fe-based n-type ferromagnetic semiconductor(In, Fe) As (2011)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, L. D. Anh, and M. Tanaka
  • 学会等名: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology(SPINTECH6); FP-27
  • 発表場所: Matsue, Shimane, Japan
• [学会発表] Correlation between magnetic circular dichroism, anomalous Hall effect and magnetization in(In, Fe) As (2011)
  • 著者名/発表者名: L. D. Anh, P. N. Hai, and M. Tanaka
  • 学会等名: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology(SPINTECH6); FP-28
  • 発表場所: Matsue, Shimane, Japan
• [学会発表] (In, Fe) As : A new Fe-based n-type electron-induced ferromagnetic semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, L. D. Anh and M. Tanaka
  • 学会等名: 56th Annual Magnetism and Magnetic Materials(MMM) Conference ; DF-03
  • 発表場所: Scottsdale, Arizona, USA
• [学会発表] Intrinsic ferromagnetism in(In, Fe) As and its dependence on Fe concentration (2011)
  • 著者名/発表者名: L. D. Anh, P. N. Hai and M. Tanaka
  • 学会等名: 56th Annual Magnetism and Magnetic Materials(MMM) Conference ; DF-11
  • 発表場所: Scottsdale, Arizona, USA
• [学会発表] III-V based magnetic heterestructures and nanostructures : Bandstructure, spin dependent tunneling, and magnetoresistance (2011)
  • 著者名/発表者名: Masaaki Tanaka
  • 学会等名: Sweden-Japan Workshop on Quantum Nanoelectronics (QNANO 2011)
  • 発表場所: Visby, Sweden(Invited)(招待講演)
• [学会発表] Valence-band structure of the ferromagnetic semiconductor GaMnAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Shinobu Ohya
  • 学会等名: 5th International Workshop on Spin Currents
  • 発表場所: Sendai, Miyaghi, Japan(Invited)(招待講演)
• [学会発表] Top-down and bottom-up fabrication of nano-scale spintronic devices and their spin-dependent transport characteristics (2011)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: 3rd International Workshop on Nanotechnology and application (IWNA 2011)
  • 発表場所: Vung Tau, Vietnam(Invited)(招待講演)
• [学会発表] Valence-band structure of (III,Mn)As ferromagnetic semiconductors (2011)
  • 著者名/発表者名: Shinobu Ohya
  • 学会等名: Joint Polish-Jap anese Workshop "Spintronics-from new materials to applications"
  • 発表場所: Warsaw, Poland(Invited)(招待講演)
• [学会発表] A new Fe-based n-type ferromagnetic semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: Le Duc Anh
  • 学会等名: 5th International Workshop on Spin Currents
  • 発表場所: Sendai, Miyaghi, Japan
• [学会発表] A new Fe-based n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As (2011)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • 発表場所: Matsue, Shimane, Japan
• [学会発表] Magnetoresistance induced by spin-dependent inelastic cotunneling in a ferromagnetic MnAs nanoparticle with non-magnetic electrodes (2011)
  • 著者名/発表者名: Ryota Akiyama
  • 学会等名: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • 発表場所: Matsue, Shimane, Japan
• [学会発表] Correlation between magnetic circular dichroism, anomalous Hall effect and magnetization in (In,Fe)As (2011)
  • 著者名/発表者名: Le Duc Anh
  • 学会等名: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • 発表場所: Matsue, Shimane, Japan
• [学会発表] (In,Fe)As : A new Fe-based n-type electron-induced ferromagnetic semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: 56th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference
  • 発表場所: Scottsdale, Arizona, USA
• [学会発表] Intrinsic ferromagnetism in (In,Fe)As and its dependence on Feconcentration (2011)
  • 著者名/発表者名: Le Duc Anh
  • 学会等名: 56th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference
  • 発表場所: Scottsdale, Arizona, USA
• [学会発表] Long spin-relaxation time (10μs) in a single ferromagnetic-metal MnAs nanoparticle (2010)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: 55th Magnetism and Magnetic Materials Conference
  • 発表場所: Atlanta, Georgia, USA
  • 年月日: 2010-11-17
• [学会発表] 単一MnAs微粒子における長いスピン緩和時間 (2010)
  • 著者名/発表者名: ファムナムハイ
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 18p-ZJ-8 ;"強磁性半導体GaMnAsへテロ構造におけるスピン依存伝導" (2010)
  • 著者名/発表者名: 大矢忍,宗田伊理也,ファムナムハイ,高田健太,田中雅明
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会のシンポジウム「スピントロニクスデバイスの新展開」
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] Electromotive force and huge magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with zinc-blende MnAs nano-magnets (2010)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai
  • 学会等名: 2010 APS Annual March Meeting ; L36. 00010
  • 発表場所: Portland, Oregon, USA, March
• [学会発表] TuD3-1 ;"Electro motive force and huge magnetoresistance induced by zinc-blende MnAs nanomagnets" (2010)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, R. Akiyama, S. Ohya and M. Tanaka
  • 学会等名: The 37^<th> International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Takamatsu, Kagawa, Japan
• [学会発表] Emerging semiconductor spintronic devices and materials (2010)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai and M. Tanaka
  • 学会等名: Solid State SystemsSymposium(4S-2010); 4S-2010-I6
  • 発表場所: Hochiminh city, Vietnam
• [学会発表] Spinmotive force in magnetic tunnel junction; University of New SouthWale (2010)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, M. Tanaka
  • 学会等名: Joint Japan/Australia Workshop on Frontier Photonics and Electronics ; 4-4
  • 発表場所: Sydney, Australia
• [学会発表] Investigation on the valence-band structure of ferromagnetic-semiconductor GaMnAs using spin-dependent resonant tunneling spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Ohya, I. Muneta, P. N. Hai, M.
  • 学会等名: Tanaka ; 2010 APS Annual March Meeting ; P35. 00008
  • 発表場所: Portland, Oregon, USA
• [学会発表] Fermi level position and valence band structure in GaMnAs studied by spin-dependent resonant tunneling spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Ohya, I. Muneta, P. N. Hai, M.
  • 学会等名: Tanaka ; The 6th International Conference on Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors(PASPS6); F-1
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] G-4 ;"Spin-dependent transport and long spin-relaxation time in a hexagonal MnAs nanoparticle" (2010)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, S. Ohya, M. Tanaka
  • 学会等名: The 6th International Conference on Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors(PASPS6)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] Spin-dependent transport in a single-electron spin transistor (2010)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai
  • 学会等名: University of Wurzburg-University of Tokyo Joint Workshop on Advances in Nanophotonics and Spintronics
  • 発表場所: Wurzburg, Germany
• [学会発表] Long spin-relaxation time(10μs) in a single ferro magnetic-metal MnAs nanoparticle (2010)
  • 著者名/発表者名: P. N. Hai, S. Ohya, M. Tanaka
  • 学会等名: 55th Magnetism and Magnetic Materials Conference
  • 発表場所: Atlanta, Georgia, USA
• [学会発表] Electro motive force and huge magnetoresistance induced by zinc-blende MnAs nanomagnets (2010)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Takamatsu, Kagawa, Japan(Invited)
• [学会発表] Emerging semiconductor spintronic devices and materials (2010)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: Solid State Systems Symposium (4S-2010)
  • 発表場所: Hochiminh city, Vietnam(Invited)
• [学会発表] Spin-dependent transport and long spin-relaxation time in a hexagonal MnAs nanoparticle (2010)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: The 6th International Conference on Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS6)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] Fermi level position and valence band structure in GaMnAs studied by spin-dependent resonant tunneling spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: Shinobu Ohya
  • 学会等名: The 6th International Conference on Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS6)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
• [学会発表] Phase decomposition diagram of magnetic alloy semiconductor (2010)
  • 著者名/発表者名: Pham Nam Hai
  • 学会等名: 第15回半導体スピン工学の基礎と応用
  • 発表場所: 筑波大学
• [学会発表] クーロンブロッケード領域内における非弾性スピンフリップコトンネルによる磁気抵抗の増大 (2010)
  • 著者名/発表者名: 秋山了太
  • 学会等名: 第15回半導体スピン工学の基礎と応用
  • 発表場所: 筑波大学
• [備考] ホームページと新聞報道The Japan Journal, January 2010, p. 31. Breakthrough-A New Principle of "Electromotive Force". A joint Japan-U. S. research team has found that, contrary to conventional wisdom, an electromotive force can be induced by a static magnetic field i
• [備考] 東京大学よりプレスリリース、2010年7月5日「金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測」
  • URL: http://www.u-tokyo.ac.jp/public/pdf/220705.pdf
• [備考] 日刊工業新聞、2010年7月12日掲載「東大、金属ナノ微粒子で10マイクロ秒と世界最長の「スピン緩和時間」観測」
  • URL: http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720100712eaac.html
• [備考] 日経プレスリリース、2010年7月5日「東大、金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測」
  • URL: http://release.nikkei.co.jp/detail.cfm?relID=255610
• [備考] Nanotech Japan 2010. 7. 20「金属ナノ微粒子における長いスピン緩和時間を観測」
  • URL: https://nanonet.nims.go.jp/modules/news/article.php?a_id=872
• [備考] マイコミジャーナル2010/07/07「東大、金属ナノ微粒子で10μsのスピン緩和時間の観測に成功」
  • URL: http://journal.mycom.co.jp/news/2010/07http://journal.mycom.co.jp/news/2010/07/07/002/index.html
• [備考] アクティブサイエンスレビュー2010年7月15日「東大、金属ナノ微粒子で10マイクロ秒と世界最長の「スピン緩和時間」観測」
  • URL: http://sci-review.activeray-sci.com/?eid=1597786
• [備考]
  • URL: http://www.u-tokyo.ac.jp/public/pdf/220705.pdf
• [産業財産権] 論理回路および単電子スピントランジスタ (2010)
  • 発明者名: ファムナムハイ,菅原聡,田中雅明
  • 権利者名: 科学技術振興機構
  • 取得年月日: 2010-08-27
• [産業財産権] 磁気-電気のエネルギー変換装置、起電力発生装置、および磁気センサー装置 (2009)
  • 発明者名: ファムナムハイ、大矢忍、田中雅明、StewartE. Barnes、前川禎通
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2009-03-07