研究課題/領域番号 |
22760228
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 北陸先端科学技術大学院大学 |
研究代表者 |
赤堀 誠志 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 助教 (50345667)
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研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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キーワード | 選択成長 / (110) / InAs / ナノワイヤ / 電界効果トランジスタ / -110 / トランジスタ |
研究概要 |
分子線エピタキシーを用いたGaAs(110)マスク基板上のInAs選択成長について、適切な選択成長条件を得て、面内へのInAsナノワイヤ形成を可能にした。さらにプレーナー型リソグラフィーを利用した平面型並列ナノワイヤ電界効果トランジスタの試作を行った。試作素子の室温における出力・伝達特性や極低温における磁気伝導度等を評価し、2. 3A/mm・4. 9mS/mmの最大電流・相互コンダクタンスやスピン軌道結合の存在等を確認した。
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