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電子セラミックス薄膜の自己組織化ナノ結晶成長とリコンフィギュラブルRF素子応用

研究課題

研究課題/領域番号 22760230
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関奈良先端科学技術大学院大学

研究代表者

西田 貴司  奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成研究科, 助教 (80314540)

研究期間 (年度) 2010 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
キーワード自己組織化 / ナノテクノロジ / 強誘電体 / 薄膜 / スパッタ法 / 原子平坦基板 / PbTiO3 / セラミックス / ナノテクノロジー
研究概要

近年、電子セラミックス材料は薄膜化が研究され、半導体回路との一体化や微細加工により、高性能、小型化、省資源などを目指した素子への応用が期待されている。今後は高品質化、特に微細化がさらに進み、ナノサイズの超高集積化も視野に入りつつある。個の研究では材料の精密なナノサイズ化に取り組み、原子レベル平坦基板と成膜手法の工夫(低角入射スパッタ)により、自己組織的なナノサイズ結晶を均質、等間隔で基板上に配列させることができた。さらに、微細加工や非線形性測定による解析を実施することによって、リコンフィギュラブル素子の低電圧化や新しい周波数変換素子が可能であることが示された。

報告書

(3件)
  • 2011 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2010 実績報告書
  • 研究成果

    (33件)

すべて 2012 2011 2010 その他

すべて 雑誌論文 (15件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (17件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Crystallization using biomineralized nickel nanodots of amorphous silicon thick films deposited by chemical vapor deposition, sputtering and electron beam evaporation2012

    • 著者名/発表者名
      T. Nishida, K. Fuse, M. Furuta, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.51 No.3

    • NAID

      210000140373

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-operating-voltage solution-processed InZnO thin-film transistors using high-k SrTa2O62012

    • 著者名/発表者名
      L. Lu, Y. Miura, T. Nishida, M. Echizen, Y. Ishikawa, K. Uchiyama, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.51 No.3

    • NAID

      210000140384

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Capacitance-voltage and leakage-current characteristics of sol-gel-derived crystalline and amorphous SrTa2O6 thin films2012

    • 著者名/発表者名
      L. Lu, T. Nishida, M. Echizen, K. Uchiyama, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.520 No.9 ページ: 3620-3623

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interface effect of high-k SrTa2O6/gate electrode on the characteristics of solution processed InZn4Ox thin-film transistors2011

    • 著者名/発表者名
      L. Lu, T. Nishida, M. Echizen, Y. Ishikawa, K. Uchiyama, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      The proceedings of AM-FPD

      巻: 11 ページ: 145-147

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Crystallizationusing biominerallized Ni nanodots of amorphous Si thick films prepared by CVD and sputtering deposition2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nishida, K. Fuse, M. Furuta, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      The proceedings of AM-FPD

      巻: 11 ページ: 129-132

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Characteristics of solution-processed TFTs with In4ZnOx/SrTa206 thin films2011

    • 著者名/発表者名
      L. Lu, T. Nishida, M. Echizen, Y. Ishikawa, K. Uchiyama, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      Proceeding of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      ページ: 120-121

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Fabrication of PbTiO3 and Pt self-organized nanocrystal array structure on atomically flat sapphire2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nishida, K. Asahi, Y. Miura, L. Lu, M. Echizen, Y. Yoneda, H. Kimura, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      Proceeding of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      ページ: 106-107

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Fabrication of atomically flat Pt layer on sapphire substrate by low angle incidence sputtering method2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nishida, K. Asahi, Y. Yoneda, K. Tamura, D. Matsumura, H. Kimura, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      Trans. Mater. Res. Soc. of Japan

      巻: Vol.36 ページ: 11-13

    • NAID

      130004676369

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interface effect of high-k SrTa2O6 gate electrode on the characteristics of solution processed InZn4Ox thin-film transistors2011

    • 著者名/発表者名
      Li Lu, T.Nishida, et al
    • 雑誌名

      The proceedings of AM-FPD 11

      ページ: 145-147

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [雑誌論文] Crystallizationusing biominerallized Ni nanodots of amorphous Si thick films prepared by CVD and sputtering deposition2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nishida
    • 雑誌名

      The proceedings of AM-FPD 11

      ページ: 129-132

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [雑誌論文] Fabrication of PbTiO3 and Pt self-organized nanocrystal array structure on atomically flat sapphire2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nishida
    • 雑誌名

      Proceeding of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      ページ: 106-107

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [雑誌論文] Thickness Dependence of Electrical Properties for High-k SrTa2O6 Thin Films Fabricated by Sol-Gel Method2011

    • 著者名/発表者名
      Li Lu, T.Nishida
    • 雑誌名

      JJAP

      巻: 50 号: 3S ページ: 03CA05-03CA05

    • DOI

      10.1143/jjap.50.03ca05

    • NAID

      210000070165

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of atomically flat Pt layer on sapphire substrate by low angle incidence sputtering method2011

    • 著者名/発表者名
      Takashi Nishida
    • 雑誌名

      Trans.Material Research Society of Japan

      巻: (In press)

    • NAID

      130004676369

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical properties of Ba0. 5Sr0. 5Ta2O6 thin film fabricated by Sol-Gel method2010

    • 著者名/発表者名
      L. Lu, M. Echizen, T. Nishida, K. Uchiyama, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: Vol.E93-C ページ: 1511-1515

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Annealing and composition effects of(BaxSr1-x) Ta2O6 thin films fabricated by sol-gel method2010

    • 著者名/発表者名
      L. Lu, T. Nishida, M. Echizen, K. Uchiyama, Y. Uraoka
    • 雑誌名

      JJAP

      巻: Vol.49

    • NAID

      210000069221

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 鉛圧電体の欠陥と非鉛圧電体の展望2012

    • 著者名/発表者名
      西田貴司
    • 学会等名
      日本電子材料技術協会第90回金属材料研究会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-14
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] (Ba, Sr) TaxOyおよび(Ba, Sr) TixOy薄膜の電圧線形性2011

    • 著者名/発表者名
      西田貴司, 呂莉, 越前正洋, 内山潔, 木村秀夫, 石河泰明, 浦岡行治
    • 学会等名
      第21回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2011-12-20
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] (Ba,Sr)TaxOyおよび(Ba,Sr)TixOy薄膜の電圧線形性2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nishida
    • 学会等名
      第21回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      横浜市開港記念会館
    • 年月日
      2011-12-20
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 強誘電体ナノ結晶評価のためのサファイア上へのPt原子レベル平坦層の形成(II)2011

    • 著者名/発表者名
      西田貴司, 旭健史郎, 米田安宏, 田村和久, 松村大樹, 木村秀夫, 石河泰明, 浦岡行治
    • 学会等名
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形
    • 年月日
      2011-09-01
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] (BaxSr1-xTa2O6)高誘電薄膜の低温作製と電気的特性2011

    • 著者名/発表者名
      Li Lu, T.Nishida
    • 学会等名
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-09-01
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 強誘電体ナノ結晶評価のためのサファイア上へのPt原子レベル平坦層の形成(II)2011

    • 著者名/発表者名
      西田貴司
    • 学会等名
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of PbTiO3 and Pt self-organized nanocrystal array structure for high density ferroelectric memories2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nishida, M. Echizen, L. Lu, K. Asahi, Y. Yoneda, H. Kimura, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
    • 学会等名
      International Symposium on Integrated Functionalities(ISIF 2011)
    • 発表場所
      England
    • 年月日
      2011-08-02
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Interface effect of high-K SrTa2O6 gate electrode on the characteristics of solution processed thin film transistors2011

    • 著者名/発表者名
      Li Lu, T.Nishida
    • 学会等名
      The 20th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2011-07-25
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 溶液法で作製したIn_4ZnO_x/SrTa_2O_6薄膜トランジスタの特性2011

    • 著者名/発表者名
      Li Lu, T.Nishida
    • 学会等名
      第28回強誘電体応用会議(FMA28)
    • 発表場所
      コープイン京都,京都
    • 年月日
      2011-05-26
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of PbTiO3 and Pt self-organized nanocrystal array structure on atomically flat sapphire2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nishida, K. Asahi, Y. Miura, L. Lu, M. Echizen, Y. Yoneda, H. Kimura, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
    • 学会等名
      The 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2011-05-19
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 強誘電体薄膜での原子レベル平坦基板の有効性2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nishida
    • 学会等名
      日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第69回研究会
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所An棟401会議室(招待講演)
    • 年月日
      2011-04-22
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 強誘電体ナノ結晶評価のためのサファイア上へのPt原子レベル平坦層の形成2011

    • 著者名/発表者名
      西田貴司
    • 学会等名
      2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県厚木市)
    • 年月日
      2011-03-24
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] PbTiO3ナノ結晶形成のための原子平坦基板上への平坦Pt成膜(II)2011

    • 著者名/発表者名
      西田貴司
    • 学会等名
      日本セラミックス協会2011年年会
    • 発表場所
      静岡大学(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2011-03-17
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 原子平坦面上へのPbTiO3およびPtナノ結晶アレイの作製2010

    • 著者名/発表者名
      西田貴司
    • 学会等名
      第20回日本MRS学術シンポジウム
    • 発表場所
      横浜市開港記念会館(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2010-12-20
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication and Evaluation of PbTiO3 Nanocrystal Array on Atomically Flat Sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      Takashi Nishida
    • 学会等名
      3rd international congress on ceramics
    • 発表場所
      Grand Cube Osaka(大阪府大阪市)
    • 年月日
      2010-11-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] アモルファス(BaxSr1-xTa2O6)薄膜の低温作製と評価2010

    • 著者名/発表者名
      Li Lu
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス(長崎県長崎市)
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] サファイア基板上のPbTiO3自己組織化ナノ結晶の放射光X線回折による評価2010

    • 著者名/発表者名
      西田貴司
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス(長崎県長崎市)
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [備考] ホームページアドレス

    • URL

      http://e-m.skr.jp/

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書

URL: 

公開日: 2010-08-23   更新日: 2016-04-21  

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