| 研究課題/領域番号 |
22760232
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 高知工科大学 |
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研究代表者 |
川原村 敏幸 高知工科大学, ナノテクノロジー研究所, 講師 (00512021)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / ミスト / 薄膜 / 成長 / 加工 / 電子デバイス / ミスト(液滴) / 大気圧プロセス / 化学気相成長(CVD)法 / 液滴の挙動 / 反応メカニズム / 金属酸化物薄膜 / デバイス作製工程の非真空化 / 薄膜トランジスタ(TFT) / 薄膜成長 / 薄膜食刻(エッチング) / ミストの挙動 / ミスト法の位置付け |
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| 研究概要 |
ミスト法に関するメカニズムや挙動を明確にすることに成功し、様々な実験を加速できた。更に、ミストCVD法を用いて酸化物TFTの本質的な非真空化へのアプローチに成功し、ミストCVD法の電子デバイス作製技術への応用展開を進められた。
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