| 研究課題/領域番号 |
22760233
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 早稲田大学 |
|---|
研究代表者 |
河原塚 篤 早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (40329082)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
|
|---|
| キーワード | InN / 分子線エピタキシー / 太陽電池 / 窒化物半導体 / 超格子 / 励起子 / 光吸収 / 直接遷移 / 間接遷移 |
|---|
| 研究概要 |
本研究では半導体太陽電池の高効率化に関する研究を行った。太陽電池の光吸収層として、ナノメートルスケールで制御された半導体ヘテロ構造(超格子)を用いることにより太陽光を有効に吸収し、太陽電池の効率向上を試みた。超格子活性層の有効性を検証するため、AlAs/GaAsを用いたプロトタイプの理論的、実験的研究を行った。またInN/GaN超格子擬似混晶の実現に向けた要素技術として、分子線エピタキシー法を用いたInN結晶成長の研究を行った。
|
