超高速電子デバイス開発を見据えたInN表面改質手法の検討

• 研究課題/領域番号: 22760234
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 立命館大学
• 研究代表者: 金子 昌充 立命館大学, 研究員 (70374709)
• 研究期間 (年度): 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)