3次元集積構造によりビーム制御機能を有する共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器

• 研究課題/領域番号: 22760247
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 鈴木 左文 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助教 (40550471)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円); 2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円); 2010年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
• キーワード: 電子デバイス / 集積回路 / 超高速電子デバイス / テラヘルツ / 超高速デバイス / 量子エレクトロニクス

研究概要

3次元的にマイクロサイズの八木アンテナを集積した発振素子構造を提案し、その構造の放射パターンのシミュレーション、および、プロセスの研究を行った。シミュレーションよりアレイエレメントを3つ配置したときに19dBiの指向性が得られることが分かった。素子の作製プロセスの開発では薄膜基板を作製する条件や、誘電体厚膜を積層する条件などを求め、作製プロセスの確立を行った。

研究成果

• [雑誌論文] Estimation of Transit time in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Teranishi, S. Suzuki, K. Shizuno, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 雑誌名: Trans. Electron. IEICE of Japan 巻: vol.E95-C, No.3 ページ: 401-407
  • NAID: 10030610433
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental Oscillation up to 1. 08THz in Resonant Tunneling Diodes with High-Indium Composition Transit Layers for Reduction of Transit Delay (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Teranishi, K. Shizuno, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 雑誌名: IEICE Electron. Express 巻: vol.9, no.5 ページ: 385-390
  • 査読あり
• [雑誌論文] Estimation of Transit Time in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers (2012)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi, S.Suzuki, K.Shizuno, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: E95-C 号: 3 ページ: 401-407
  • DOI: 10.1587/transele.E95.C.401
  • NAID: 10030610433
  • ISSN: 0916-8524, 1745-1353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillation up to 1.08THz in resonant tunneling diodes with high-indium-composition transit layers for reduction of transit delay (2012)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi, K.Shizuno, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H. Yokoyama
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express 巻: 9 号: 5 ページ: 385-390
  • DOI: 10.1587/elex.9.385
  • NAID: 130001922359
  • ISSN: 1349-2543
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Output Power(～400μW) Oscillators at around 550GHz Using Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Shiraishi, H. Shibayama, K. Ishigaki, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: vol.4 ページ: 64101-64101
  • NAID: 10029000452
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz Oscillators Using Electron Devices-an Approach with Resonant Tunneling Diodes(invited) (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 雑誌名: IEICE Electron. Express 巻: vol.8, no.14 ページ: 1110-1126
• [雑誌論文] Heterodyne Mixing of Sub-Terahertz Output Power from Two Resonant Tunneling Diodes Using In PSchottky Barrier Diode (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, K. Karashima, K. Ishigaki, and M. Asada
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: vol.50 ページ: 80211-80211
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Uniformity In P-Based Resonant Tunneling Diode Wafers with Peak Current Density of over 6×10^5 A/cm^2 Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Sugiyama, A. Teranishi, S. Suzuki, and M. Asada
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 巻: vol.336 ページ: 24-28
  • 査読あり
• [雑誌論文] 電子デバイスによるテラヘルツ光源, Room-Temperature Terahertz Oscillation of Electron Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋、鈴木左文, M. Asada and S. Suzuki
  • 雑誌名: 電気学会論文誌A(基礎・材料共通), J. Institute of Electrical Engineers of Japan 巻: vol.131-A ページ: 21-25
• [雑誌論文] Room-Temperature Resonant Tunneling Diode Terahertz Oscillator Based on Precisely Controlled Semiconductor Epitaxial Growth Technology,高精度結晶成長技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Sugiyama, S. Suzuki, and M. Asada, 杉山弘樹, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 雑誌名: NTTTechnical Review, NTT技術ジャーナル 巻: vol.9, no.10, vol.23, no.7 ページ: 12-17
• [雑誌論文] High Output Power (～400μW)Oscillators at around 550GHZ Using Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi, H.Shibayama, K.Ishigaki, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.4 号: 6 ページ: 64101-64101
  • DOI: 10.1143/apex.4.064101
  • NAID: 10029000452
  • 査読あり
• [雑誌論文] Terahertz oscillators using electron devices - an approach with Resonant tunneling diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada, S.Suzuki
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express 巻: 8 号: 14 ページ: 1110-1126
  • DOI: 10.1587/elex.8.1110
  • NAID: 130000959497
  • ISSN: 1349-2543
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heterodyne Mixing of Sub-Terahertz Output Power from Two Resonant Tunneling Diodes Using InP Schottky BarrierDiode (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, K.Karashima, K.Ishigaki, M.Asada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.50 号: 8R ページ: 80211-80211
  • DOI: 10.1143/jjap.50.080211
  • NAID: 40018960973
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Uniformity InP-Based Resonant Tunneling Diode Wafers with Peak Current Density of over 6×10^5 A/cm^2 Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Sugiyama, A.Teranishi, S.Suzuki, M.Asada
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 巻: Vol.336 号: 1 ページ: 24-28
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.09.010
  • 査読あり
• [雑誌論文] 電子デバイスによるテラヘルツ光源 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋、鈴木左文
  • 雑誌名: 電気学会論文誌A(基礎・材料共通) 巻: vol.131-A ページ: 21-25
• [雑誌論文] 高精度結晶成長技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (2011)
  • 著者名/発表者名: 杉山弘樹, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 雑誌名: NTT技術ジャーナル 巻: vol.23 ページ: 12-17
• [雑誌論文] Fundamental Oscillation of up to 915 GHz in Small-Area In GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes with Planar Slot Antennas (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Shiraishi, S. Suzuki, A. Teranishi, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: vol.49 ページ: 20211-20211
  • 査読あり
• [雑誌論文] Measurement of Oscillation Frequency and Spectral Line width of Sub-Terahertz InP-Based Resonant Tunneling Diode Oscillators Using Ni-InP Schottky Barrier Diode (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Karashima, R. Yokoyama, M. Shiraishi, S. Suzuki, S. Aoki, and M. Asada
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: Vol.49 ページ: 20208-20208
  • NAID: 210000067885
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sub-Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillators with High Output Power(~ 200μW) Using Offset-Fed Slot Antenna and High Current Density (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Hinata, M. Shiraishi, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: vol.3 ページ: 14001-14001
  • NAID: 10027013068
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillation of resonant tunneling diodes above 1 THz at room temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, M. Asada, A. Teranishi, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: vol.97
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillations at～900GHz with low bias voltages in RTDs with spike-doped structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, K. Sawada, A. Teranishi, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 雑誌名: Electron. Lett. 巻: vol.46 ページ: 1006-1007
  • 査読あり
• [雑誌論文] Extremely High Peak Current Densities of over 1×10^6A/cm^2 in InP-Based In GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Sugiyama, H. Yokoyama, A. Teranishi, S. Suzuki, and M. Asada
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sub-Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillators with High Output Power (～200μW) Using Offset-Fed Slot Antenna and High Current Density (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Hinata, M.Shiraishi, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Exp. 巻: vol.3
  • NAID: 10027013068
  • 査読あり
• [雑誌論文] Measurement of Oscillation Frequency and Spectral Linewidth of Sub-Terahertz InP-Based Resonant Tunneling Diode Oscillators Using Ni-InP Schottky Barrier Diode (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Karashima, R.Yokoyama, M.Shiraishi, S.Suzuki, S.Aoki, M.Asada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: Vol.49
  • NAID: 210000067885
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental Oscillation of up to 915 GHz in Small-Area InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes with Planar Slot Antennas (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi, S.Suzuki, A.Teranishi, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.49
  • NAID: 40016982478
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillation of resonant tunneling diodes above 1 THz at room temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, M.Asada, A.Teranishi, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 巻: vol.97
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillations at ～900GHz with low bias voltages in RTDs with spike-doped structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, K.Sawada, A.Teranishi, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Electron.Lett. 巻: vol.46 ページ: 1006-1007
  • 査読あり
• [雑誌論文] Extremely High Peak Current Densities of over 1×10^6A/cm^2 in InP-Based InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Sugiyama, H.Yokoyama, A.Teranishi, S.Suzuki, M.Asada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.49
  • 査読あり
• [雑誌論文] 電子デバイスによるテラヘルツ光源 (2010)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋、鈴木左文
  • 雑誌名: 電気学会論文誌A 巻: vol.131-A(招待論文) ページ: 21-25
• [学会発表] 狭井戸共鳴トンネルダイオードによるテラヘルツ発振素子の高出力化 (2012)
  • 著者名/発表者名: 金谷英敏
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] ボウタイアンテナ集積型Ni-InP SBDのカットオフ周波数向上と感度測定 (2012)
  • 著者名/発表者名: 丸山薫
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ光源 (2012)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: 電気学会パワー半導体光源とその応用技術調査専門委員会
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2012-02-20
• [学会発表] THz Oscillation of Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Transmission (2012)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 学会等名: テラヘルツ応用システム研究会
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2012-02-10
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes and Preliminary Experiments on Wireless Communication Application (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Japan-Korea Joint Workshop, S2-3
  • 発表場所: Nagoya
  • 年月日: 2011-12-19
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes and Preliminary Experiments on Wireless Communication Application (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Japan-Korea Joint Workshop
  • 発表場所: Nagoya(招待講演)
  • 年月日: 2011-12-19
• [学会発表] Wireless Data Transmission at~ 560 GHz with Direct Modulation of RTD Oscillator (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Ishigaki, M. Shiraishi, S. Suzuki, and M. Asada
  • 学会等名: Int. Symp. Terahertz Nano-Science & Workshop on Int. Terahertz Research Network Workshop on Int. Terahertz Research Network
  • 発表場所: Osaka
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] THz Oscillating Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Communications (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Symp. Terahertz Nano-Science & Workshop on Int. Terahertz Research Network
  • 発表場所: Osaka
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] THz Oscillating Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Communications (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Terahertz Nano-Science & Workshop on Int.Terahertz Research Network
  • 発表場所: Osaka(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] Wireless Data Transmission at ～560 GHz with Direct Modulation of RTD Oscillator (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ishigaki
  • 学会等名: Terahertz Nano-Science & Workshop on Int.Terahertz Research Network
  • 発表場所: Osaka
  • 年月日: 2011-11-28
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードの基本波1THz室温発振 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 学会等名: 第2回集積光デバイスと応用技術時限研究専門委員会(IPDA)研究会
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-16
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ光源 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 学会等名: 学術振興会第182委員会第11回研究会
  • 発表場所: 浜松(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-24
• [学会発表] Intensity Modulation of Sub-Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode by Irradiation of 1. 55m Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Kaburaki, S. Suzuki, and M. Asada
  • 学会等名: IEEE Photonics Conference(IPC 11)
  • 発表場所: Arlington/VA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Intensity Modulation of Sub-Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode by Irradiation of 1.55-μm Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Kaburaki
  • 学会等名: IEEE Photonics Conference (IPC 11)
  • 発表場所: Arlington/VA, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Dependence of Output Power on Slot Antenna Width in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Shibayama, S. Suzuki, M. Shiraishi, M. Asada
  • 学会等名: Int. Conf. Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics(IRMMW-THz2011)
  • 発表場所: Huston
  • 年月日: 2011-10-05
• [学会発表] Direct Modulation of THz-Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Ishigaki, K. Karashima, M. Shiraishi, H. Shibayama, S. Suzuki, M. Asada
  • 学会等名: Int. Conf. Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston
  • 年月日: 2011-10-05
• [学会発表] Direct Modulation of THz-Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ishigaki
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston, USA
  • 年月日: 2011-10-05
• [学会発表] Dependence of Output Power on Slot Antenna Width in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Shibayama
  • 学会等名: Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
  • 発表場所: Huston, USA
  • 年月日: 2011-10-05
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器における発振出力のアンテナ幅依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 柴山裕孝
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオード発振素子の直接出力変調と変調周波数上限の外部回路依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石垣要
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 1.55μmレーザ光照射による共鳴トンネルダイオードサブテラヘルツ発振器の出力強度変調 (2011)
  • 著者名/発表者名: 鏑木新治
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Terahertz Oscillation of Inga As/Alas Resonant Tunneling Diode sat Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, andH. Yokoyama
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials(TWHM)
  • 発表場所: Gifu, Japan
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Terahertz Oscillation of InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM)
  • 発表場所: Gifu, Japan(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Electron Dynamics in Semiconductors, Opto-electronics and Nanostructures(EDISON 17)
  • 発表場所: Santa Barbara/CA
  • 年月日: 2011-08-11
• [学会発表] Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Opto-electronics and Nanostructures (EDISON 17)
  • 発表場所: Santa Barbara, USA(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-11
• [学会発表] Room-Temperature THz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Symp. Microwave/Terahertz Science and Applications(MTSA 2011)
  • 発表場所: Nanjing, China
  • 年月日: 2011-06-21
• [学会発表] Room-Temperature THz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Microwave/Terahertz Science and Applications (MTSA 2011)
  • 発表場所: Nanjing, China(招待講演)
  • 年月日: 2011-06-21
• [学会発表] Fundamental Oscillation up to 1. 08 Thin Resonant Tunneling Diodes with High Indium Composition Transit Layers (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Teranishi, K. Shizuno, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 学会等名: Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials(IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] High Output Power(~ 400・W) Oscillators at Around 550 GHz Using Large Area RTD and Optimized Antenna Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Shiraishi, H. Shibayama, K. Ishigaki, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 学会等名: Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials(IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] High Output Power (～400μW) Oscillators at Around 550 GHz Using Large Area RTD and Optimized Antenna Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shiraishi
  • 学会等名: Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Fundamental Oscillation up to 1.08 THz in Resonant Tunneling Diodes with High Indium Composition Transit Layers (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi
  • 学会等名: Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] 高インジウム組成電子走行層を有する共鳴トンネルダイオードによる1.08 THzへの基本波発振周波数向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 寺西豊志, 静野薫, 鈴木左文, 浅田雅洋, 杉山弘樹, 横山春喜
  • 学会等名: 第58回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 大面積RTDとアンテナ構造最適化による550GHz帯高出力(～400μW)発振 (2011)
  • 著者名/発表者名: 白石誠人, 柴山裕孝, 石垣要, 鈴木左文, 浅田雅洋, 杉山弘樹, 横山春樹
  • 学会等名: 第58回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] MIMキャパシタンス減少による共鳴トンネルダイオード発振素子の変調周波数向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石垣要, 辛島宏一, 白石誠人, 柴山裕孝, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 学会等名: 第58回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] ボウタイアンテナ集積型Ni-InP SBDのカットオフ周波数の向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 丸山薫, 辛島宏一, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 学会等名: 第58回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオード室温THz発振器 (2011)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: 第58回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 厚木
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED研
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2010-12-16
• [学会発表] グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮 (2010)
  • 著者名/発表者名: 寺西豊志, 鈴木左文, 静野薫, 浅田雅洋, 杉山弘樹, 横山春喜
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED研
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2010-12-16
• [学会発表] THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes Int. Conf. Semiconductor Integrated Circuits and Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)
  • 発表場所: Shanghai
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes Int.Conf.Semiconductor Integrated Circuits and Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada, S.Suzuki
  • 学会等名: 10th IEEE International Conference on Solid-Stato and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] 1. 04 THz Fundamental Oscillation of Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, M. Asada, A. Teranishi, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 学会等名: European Optical Society(EOS) Annual Meeting, Terahertz Science and Technology, TOM02
  • 発表場所: Paris
  • 年月日: 2010-10-26
• [学会発表] 1.04 THz Fundamental Oscillation of Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, M.Asada, A.Teranishi, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 学会等名: European Optical Society (EOS) Annual Meeting, Terahertz Science and Technology
  • 発表場所: Paris, France
  • 年月日: 2010-10-26
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 学会等名: 日本学術振興会 第130委員会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-10-22
• [学会発表] Terahertz Oscillating Inga As/Alas Resonant Tunneling Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki and M. Asada
  • 学会等名: Int. Conf. Solid State Devices and Materials(SSDM2010)
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] Terahertz Oscillating InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, M.Asada
  • 学会等名: Int.Conf.Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] 1.04 THz Fundamental Oscillation of Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, A.Teranishi, M.Asada
  • 学会等名: 2nd Japanese-Russian Young Scientists Conference on Nanomaterials and Nnanotechnology
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-21
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる1.04THz基本波発振 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文, 寺西豊志, 浅田雅洋, 杉山弘樹, 横山春喜
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ発振 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 学会等名: 電子情報通信学会ソサイエティ大会
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Heterodyne Detection of Output of Sub-THz RTD Oscillator Using Imp-SBD Detector and RTD Local Oscillator (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Karashima, M. Shiraishi, K. Hinata, S. Suzuki and M. Asada
  • 学会等名: Int. Conf. Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome
  • 年月日: 2010-09-09
• [学会発表] Heterodyne Detection of Output of Sub-THz RTD Oscillator Using InP-SBD Detector and RTD Local Oscillator (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Karashima, M.Shiraishi, K.Hinata, S.Suzuki, M.Asada
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-09
• [学会発表] Increase of Fundamental Oscillation Frequency in Resonant Tunneling Diode with Thin Barrier and Graded Emitter Structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, A. Teranishi, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 学会等名: Int. Conf. Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Conf. Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada, S.Suzuki
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] Increase of Fundamental Oscillation Frequency in Resonant Tunneling Diode with Thin Barrier and Graded Emitter Structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, A.Teranishi, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared and Millimeterwave & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] Fundamental Oscillations at~ 900 GHz with Low Bias Voltages in RTDs Having Spike-Doped Structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, K. Sawada, A. Teranishi, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 学会等名: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2010)
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2010-06-30
• [学会発表] Fundamental Oscillations at ～900 GHz with Low Bias Voltages in RTDs Having Spike-Doped Structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, K.Sawada, A.Teranishi, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 学会等名: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-06-30
• [学会発表] Room-Temperature Oscillation of Resonant Tunneling Diodes in Terahertz Range (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Asada and S. Suzuki
  • 学会等名: Int. Symp. Compound Semicond.(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Room-Temperature Oscillation of Resonant Tunneling Diodes in Terahertz Range (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada, S.Suzuki
  • 学会等名: Int.Symp.Compound Semicond.(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] RTD Oscillators at 430-460 GHz with High Output Power(~ 200μW) Using Integrated Offset Slot Antennas (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Suzuki, K. Hinata, M. Shiraishi, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama
  • 学会等名: Indium Phosphide and Related Compounds(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] RTD Oscillators at 430-460 GHz with High Output Power (～200μW) Using Integrated Offset Slot Antennas (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, K.Hinata, M.Shiraishi, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 学会等名: The 22st Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードを用いた室温テラヘルツ発振器 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 学会等名: 日本学術振興会 第162委員会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-05-07
• [学会発表] 高周波化・高出力化・高機能化を目指した共鳴トンネルダイオード室温THz発振器 (2010)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋, 鈴木左文
  • 学会等名: 応用物理学会テラヘルツ電磁波技術研究会および電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティテラヘルツ応用システム時限研究会合同研究討論会
  • 発表場所: 仙台秋保
  • 年月日: 2010-02-26
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードを用いた室温テラヘルツ発振器 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 学会等名: 応用物理学会応用電子物性分科会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-01-29
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [産業財産権] 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器 (2011)
  • 発明者名: 杉山弘樹, 横山春喜, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社,東京工業大学
  • 産業財産権番号: 2011-021439
  • 出願年月日: 2011-02-03