| 研究課題/領域番号 |
22760258
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
寺嶋 亘 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 基幹研究所研究員 (30450406)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | Quantum cascade laser / III-Nitride semiconductors / Intersubband / THz / DETA technique / 量子カスケードレーザ / テラヘルツ / 窒化物半導体 / 分子線エピタキシ法 / 自然放出光 / サブバンド間遷移 / 電流注入 |
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| 研究概要 |
我々はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)における未踏周波数領域5-12 THz帯の開拓を目指して、III族窒化物半導体を用いたTHz-QCLの開発研究を行った。本課題において、RF-MBE法によって熱処理によるドロップレット除去(DETA)法を用いたGaN/AlGaN系QCL構造を作製し、その構造特性及び発光特性を評価した。その結果、DETA法を適用することでQC構造の多周期化が可能になり、かつ構造特性・結晶性が改善することが分かった。また、この方法を用いて作製したTHz-QCL構造の電流注入において、1.4～2.8 THzのサブバンド間遷移発光に初めて成功した。
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